Resolución atómica de elementos ligeros utilizando HAADF y ABF-STEM con corrección de Cs y bajo voltaje

Abstract

Microscopía electrónica de transmisión/barrido (STEM) ofrece información estructural y química del orden de 0.1 nm de resolución espacial, tal resolución es llevada a cabo mediante el corrector de aberración esférica. En el STEM, un haz de electrones es enfocado y escaneado sobre la muestra, por lo que la imagen es formada midiendo la señal electrónica que surge después de las interacciones electrones-muestra. La señal de los electrones dispersados puede ser empleada para obtener imágenes de campo claro y campo obscuro. El microscopio STEM es un poderoso instrumento para estudiar las propiedades físicas de las nanoestructuras, que requieren de un análisis estructural y químico a nivel atómico. Por lo tanto, STEM es una técnica capaz de identificar la posición de los átomos y las columnas atómicas. En este trabajo, los parámetros instrumentales básicos del microscopio antes de sus aplicaciones fueron evaluados. Además, imágenes experimentales de campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF)-STEM y campo claro anular (ABF)-STEM de una muestra de LaAlO3 fueron obtenidas a bajos voltajes de operación y comparadas con imágenes simuladas obtenidas con el método de multicapas. Se encontró que las imágenes simuladas coinciden bien con las imágenes experimentales.

Keywords

• microscopía electrónica de transmisión/barrido
• campo oscuro anular de alto ángulo
• campo claro anular
• simulación de imágenes