Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas (Dec 2004)
Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
Abstract
Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as propriedades elétricas de amostras da liga ternária AlxGa1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE).
Keywords