Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas (Dec 2004)

Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

  • Luiz Carlos Poças,
  • Élder Mantovani Lopes,
  • José Leonil Duarte,
  • Ivan Frederico Lupiano Dias,
  • Edson Laureto,
  • Dari Oliveira Toginho Filho,
  • Paulo Sérgio Soares Guimarães,
  • Luiz Alberto Cury,
  • Harmand Jean Christophe

DOI
https://doi.org/10.5433/1679-0375.2004v25n2p183
Journal volume & issue
Vol. 25, no. 2

Abstract

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Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada.

Keywords