Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (Dec 1999)
Comportamiento eléctrico del compuesto Bi<sub>5</sub>FeTi<sub>3</sub>O<sub>15</sub> y de sus soluciones sólidas con CaBi<sub>4</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>
Abstract
Bi5FeTi3O15 (BiFT) compound has been prepared by solid state reaction between the corresponding oxides. Its crystalline structure has been established by X ray Diffraction, (XRD). Ceramic samples with apparent density > 95% Dth have been sintered. On these samples, electrical conductivity and Curie temperature have been measured. Solid solutions of Bi5FeTi3O15 (BiFT) and CaBi4Ti4O15 (CBiT) have been prepared. On poled samples of these solid solutions, piezoelectric parameters have been established. The BiFT compound shows electrical conductivity values very similar to those of the Bi4Ti3O12 (BiT) compound. The electrical conductivity of solid solutions is a function of CBiT amount. A possible electrical conductivity mechanism which is different of that accepted for the BiT compound is discussed.Se ha preparado Bi5FeTi3O15 (BiFT) por reacción en estado sólido de los óxidos correspondientes. Se ha determinado su estructura cristalina por Difracción de Rayos X (DRX). Se han preparado compactos sinterizados con densidades superiores al 95%. Se ha determinado su temperatura de Curie, y la conductividad eléctrica entre 150 y 850ºC. Se han preparado soluciones sólidas de Bi5FeTi3O15 con CaBi4Ti4O15, (CBiT) y se han determinado los mismos parámetros de temperatura de Curie y de conductividad para ellas. En las soluciones sólidas se han determinado los parámetros Piezoeléctricos de muestras polarizadas Debe destacarse que el compuesto Bi5FeTi3O15 presenta unos valores de conducción eléctrica más próximos a los correspondientes al Bi4Ti3O12 (BiT) que a los de los compuestos MeBi4Ti4O15. La conductividad eléctrica de las soluciones sólidas varía con el contenido de CBiT. Se discute la posible existencia de un modelo de conducción eléctrica que difiere del aceptado hasta el momento para el BiT, basado en los defectos localizados en las capas Bi2O2 2-.
