Analysis of the temperature dependence of the thermal conductivity of insulating single crystal oxides
E. Langenberg,
E. Ferreiro-Vila,
V. Leborán,
A. O. Fumega,
V. Pardo,
F. Rivadulla
Affiliations
E. Langenberg
Centro de Investigación en Química Biolóxica e Materiais Moleculares (CIQUS) and Departamento de Química-Física, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
E. Ferreiro-Vila
Centro de Investigación en Química Biolóxica e Materiais Moleculares (CIQUS) and Departamento de Química-Física, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
V. Leborán
Centro de Investigación en Química Biolóxica e Materiais Moleculares (CIQUS) and Departamento de Química-Física, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
A. O. Fumega
Departamento de Física Aplicada, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
V. Pardo
Departamento de Física Aplicada, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
F. Rivadulla
Centro de Investigación en Química Biolóxica e Materiais Moleculares (CIQUS) and Departamento de Química-Física, Universidade de Santiago de Compostela, 15782 Santiago de Compostela, Spain
The temperature dependence of the thermal conductivity of 27 different single crystal oxides is reported from ≈20 K to 350 K. These crystals have been selected among the most common substrates for growing epitaxial thin-film oxides, spanning over a range of lattice parameters from ≈3.7 Å to ≈12.5 Å. Different contributions to the phonon relaxation time are discussed on the basis of the Debye model. This work provides a database for the selection of appropriate substrates for thin-film growth according to their desired thermal properties, for applications in which heat management is important.
