Guangtongxin yanjiu (Jan 1996)
InGaAsP/InP异质结构材料组分及结构的XPS测定
Abstract
采用X射线光电子能谱(XPS)对InGaAsP/InP异质结构MOCVD外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用XPS组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率,并与光压谱(PVS)测定的带隙值和X射线双晶衍射(DCD)测定的失配率作了比较,比较结果是满意的。实验和分析表明,在研究MOCVD外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面,XPS比经典的(主要作为体相分析技术)XRD技术更为优越