پتانسیل پاشندگی یک اتم حالت پایه در محیط‌های مغناطوالکتریک اتلافی با پاسخ غیر موضعی

Abstract

به‌کمک روش اختلال، رابطة انرژی پتانسیل پاشندگی یک اتم الکتریکی و یا مغناطیسی حالت پایه در حضور مواد مغناطوالکتریک اتلافی را به محیط‌های غیرموضعی تعمیم داده‌ایم. از آنجایی که رابطة نهایی به هندسة سیستم وابسته است، می‌توان نیروی کازیمیر-پولدر را نیز در چنین سیستم‌هایی با محاسبة شیب انرژی پتانسیل به‌دست آورد. اگرچه رابطة پتانسیل به لحاظ شکل ظاهری کاملاً مشابه با رابطة متناظر در محیط‌های موضعی می‌باشد که پیش‌تر به‌دست آمده است، اما به‌دلیل تفاوت تانسور گرین محیط‌های موضعی با محیط غیرموضعی و وابستگی رابطة نهایی پتانسیل پاشندگی به تانسور گرین محیط، نتایج کاملاً متفاوتی به‌دست می‌آوریم.

Keywords

• انرژی پتانسیل پاشندگی
• مواد مغناطوالکتریک اتلافی
• محیط غیرموضعی
• تانسور گرین