اپتوالکترونیک (Oct 2024)

فیلتر فابری پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی آلائیده

  • ربابه طالب زاده

DOI
https://doi.org/10.30473/jphys.2024.72105.1210
Journal volume & issue
Vol. 7, no. 1
pp. 59 – 65

Abstract

Read online

در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بطوری که لایه A دی الکتریک ( شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n ) و N تعداد تناوب لایه ها می باشد. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل می کند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر می شود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانس های تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی می توانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابجایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی می شوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایه ای بدون نقص می باشد.

Keywords