Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban (Nov 2017)

Design of D flip-flop based on RTD and HEMT(基于RTD和HEMT的D触发器设计)

  • FENGJie(冯杰),
  • YAOMaoqun(姚茂群)

DOI
https://doi.org/10.3785/j.issn.1008-9497.2017.06.011
Journal volume & issue
Vol. 44, no. 6
pp. 718 – 723

Abstract

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共振隧穿二极管(RTD)作为一种新的量子器件和纳米电子器件，具有负内阻、电路功耗低、工作频率高、双稳态和自锁等特性，可突破CMOS工艺尺寸的物理极限，在数字集成电路领域有更为广阔的发展空间.针对RTD的特性，采用3个RTD串联的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)和类SR锁存器，设计了基于RTD和HEMT（高电子迁移率晶体管）的D触发器.较于其他研究的D触发器，该D触发器能有效降低电路的器件数量和复杂度，且能抗S、R信号的延时差异干扰，具有更稳健的输出.

Keywords