Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban (Sep 2023)

ATM失活诱导GADD45α依赖的小脑颗粒神经元凋亡

  • 吴森斌,
  • 伍健伟,
  • 马莹,
  • 赵凡一,
  • 曹东芳,
  • 梁建峰,
  • 胡坤华,
  • 袁忠民

Journal volume & issue
Vol. 44
pp. 758 – 767

Abstract

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目的探究共济失调毛细血管扩张突变(ATM)激酶失活诱导神经元凋亡的具体分子机制。方法体外成熟7 d的小脑颗粒神经元(CGNs)分别用含25 mmol/L KCl(25 K)培养基、5 mmol/L KCl(5 K)培养基和含ATM特异性抑制剂(Ku55933,10 µmol/L;Ku60019,15 µmol/L)的25 K培养基后进行免疫印迹检测ATM、Caspase3、Cleaved Caspase-3的蛋白表达水平或培养8 h后进行Hoechst染色分析。在C6细胞和CGNs中转染ATM和GADD45α特异性siRNA,q-PCR和免疫印迹验证其干扰效率。体外成熟5 d的CGNs通过磷酸钙转染ATM特异性siRNA和pCMV-EGFP 48 h后进行Hoechst染色和凋亡分析。体外成熟7 d的CGNs用含ATM特异性抑制剂的25 K培养基培养8 h后进行全转录组测序、差异表达基因鉴定和通路富集分析。体外成熟5 d的CGNs通过磷酸钙转染GADD45α特异性siRNA和pCMV-EGFP 48 h,用含15 µmol/L Ku6的25 K培养基处理8 h或5 K培养基处理 8 h后进行Hoechst染色和凋亡分析。结果与25 K组相比,5 K处理组和ATM特异性抑制剂处理组的CGNs ATM蛋白表达降低、Cleaved Caspase-3蛋白表达增加、细胞核固缩率增加。C6细胞和CGNs中转染ATM和GADD45α特异性siRNA后有效降低ATM 和GADD45α 的mRNA和蛋白的表达。与对照相比,CGNs转染ATM特异性siRNA 后,细胞核固缩率升高。在Ku55933处理组中鉴定出835个基因表达上调,848个基因表达下调;在Ku60019处理组中鉴定出454个基因表达上调,314个基因表达下调;274个基因在Ku5处理组和Ku6处理组中共同上调,179个基因在Ku5处理组和Ku6处理组中共同下调,其中ATM下游靶标GADD45α表达上调;通路富集结果显示TNF信号通路、NF-κB信号通路和凋亡信号通路等被显著富集。与对照相比,抑制剂处理组和5K组GADD45α的mRNA和蛋白表达均升高。与对照相比,转染GADD45α特异性siRNA后用含15 µmol/L Ku60019的25 K培养基处理8 h或5 K培养基处理后的CGNs细胞核固缩率降低。结论ATM活性降低诱导GADD45α依赖的神经元凋亡。

Keywords