اثر میدان مغناطیسی عمودی بر خواص الکترونی و ترابردی نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی

Abstract

در این مقاله، اثر اعمال میدان مغناطیسی عمودی بر خواص الکترونی و ترابردی سه گروه از نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی بررسی شد. نانو نوارهای سیلیسین مورد مطالعه دارای 5 الی 7 اتم سیلیکون در عرض می‌باشند که گاف‌های نواری متفاوتی دارند. میدان مغناطیسی عمودی با قدرت‌های 0/1، 0/2 و 0/3 الکترون ولت به نانو نوارها اعمال شد. با اعمال میدان مغناطیسی عمودی، تغییراتی در آرایش الکترونی نانو نوار به‌وجود آمد، در نتیجه خواص الکترونی و ترابردی نانو نوارها نظیر طیف گسیل، ساختار نواری و مشخصه جریان- ولتاژ تغییر یافت. نتایج نشان داد که اعمال میدان مغناطیسی عمودی به نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی که تحت اختلاف پتانسیل الکتریکی قرار گرفته‌اند باعث افزایش جریان عبوری می‌شود. محاسبات با استفاده از تقریب تنگ بست به همراه فرمول‌بندی تابع گرین غیرتعادلی انجام شد.

Keywords

• سیلیسین
• میدان مغناطیسی عمودی
• ساختار نواری
• طیف گسیل الکترونی
• مشخصه جریان- ولتاژ