القای مغناطیسی قابل تنظیم تک لایۀ 1T-NiTe2 از طریق الایش اتمی فلزات واسطه V ،Cr ،Mn و Fe

Abstract

القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان می‌دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم Cr و اتم Fe می‌باشد. اتم Cr با اتم‌های نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (FM) و با اتم‌های تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (AFM) برقرار می‌کنند. در حالی که اتم Fe با اتم‌های نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث می‌شود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.

Keywords

• دی کالکوژنید دو بعدی
• خواص مغناطیسی
• دوپینگ فلزات 3d واسطه