طیف سنجی افت انرژی الکترون بازتابی برای شناسایی نانولایه ها، مطالعه موردی SrTiO3

Abstract

با تکنیک طیف سنجی افت انرژی الکترون بازتابی(REELS)، در انرژی کم می‌توان خواص الکترونیکی لایه‌های نازک و نانو ساختارها و ساختار الکترونی سطح را تعیین کرد. در این مقاله، با استفاده از سطح مقطع ناکشسان تجربی REELS به دست آمده به روش توگارد – چورکن دورف، تابع دی الکتریک تیتانیت استرانسیم با روش یوبرو- توگارد تعیین می‌شود. سطح مقطع تئوری با توافق خوبی با تجربی در انرژی 1423 و زاویه‌ی ورودی و خروجی °35، °15 به دست آمد. علاوه بر این، توزیع زاویه‌ای پارامتر تحریک پذیری سطح برای این بلور در انرژی‌های 1000، 1423، 2000، 2500و 3000 تعیین شد. در این راستا از تعریف پائولی و توگارد، که به عنوان تغییر در احتمال تحریک پذیری یک الکترون که بواسطه حضور سطح در مقایسه با الکترون در حال حرکت در محیط نیمه بی‌نهایت است، استفاده شد. محاسبه این پارامتر بر پایه‌ی سطح مقطح پاشندگی ناکشسان دیفرانسیلی الکترون، به‌دست آمده از نرم افزار QUEELS که برای طیف افت انرژی الکترون بازتابی معتبر است، می-باشد.

Keywords

• طیف سنجی افت انرژی الکترون بارتابی
• تابع دی الکتریک
• پارامتر تحریک پذیری سطح
• تیتانیت استرانسیم