Электрические свойства пленок теллурида кадмия и барьера Шоттки на его основе (Al/СdТe)

Abstract

Показано, что с ростом толщины пленок теллурида кадмия от 0,4 до 1 мкм удельное сопротивление уменьшается от 8·108 до 8,1·107 Ом·см, что равносильно возрастанию проводимости от 1,25·10-9 до 1,23·10-8 Ом-1·см-1. При толщинах выше 1 мкм удельное сопротивление и проводимость меняются слабо. При толщинах пленок Д=0,4 мкм на рентгенограмме наблюдается один широкий максимум, что свидетельствует о несовершенстве кристаллитов. С ростом толщины до 1 мкм на рентгенограмме появляется ряд четких рефлексов с нарастающей интенсивностью, который связан с усовершенствованием кристаллической структуры пленок. Получена вольт-амперная характеристика диода Шоттки. Показано, что с ростом прямого смещения наблюдается значительное увеличение прямого тока, а также заметное увеличение обратного тока при обратном смещении. Начальный участок прямой характеристики при напряжениях до 10 В является линейным и присущ барьерам Шоттки, однако при высоких напряжениях характеристика становится нелинейной. Нелинейность вольт-амперной характеристики барьера Шоттки в достаточно широком диапазоне приложенного напряжения связана с эффектом границы зерен в поликристаллических пленках. А именно, при увеличении приложенного напряжения до определенного значения плотность ловушечных состояний в области границы кристаллита уменьшается, т.е. дырки начинают заполняться, что обычно наблюдается в полупроводниках, содержащих проводящие частицы в непроводящей матрице. Этот эффект мы использовали при изучении возможности изготовления детекторов ядерного излучения со структурой металл — полупроводник — металл.

Keywords

• барьер шоттки
• рентгенограмма
• теллурид кадмия
• кристаллиты
• проводимость
• пленка
• энергия активации
• межзеренные границы
• вакуумная установка