Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (Feb 2008)

Influencia del TiO<sub>2</sub> y Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> sobre las propiedades eléctricas y microestructurales de cerámicas de SnO<sub>2</sub> obtenidas por el método Pechini

  • Rodríguez-Paéz, J. E.,
  • Caballero, A. C.,
  • Varela, J. A.,
  • Mosquera, A.

Journal volume & issue
Vol. 47, no. 1
pp. 24 – 28

Abstract

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Tin oxide has wakened up great scientific and technological interest for its potential use in varistors production and as gas sensor. In order to improve the microstructural and electrical properties in SnO2 varistor ceramics, the influence of differents dopants used, like TiO2 and Al2O3, is under research. The effect of TiO2 and Al2O3 on the properties of Sn-Co-Nb varistor systems obtained by the Pechini method has been investigated in this work. Characterization of synthesized raw material was performed by X-Ray Diffraction (XRD) and Scanning Electronic Microscopy (SEM). The microstructural and electrical characterization of sintered samples show that the TiO2 favors the grain growth and the Al2O3 contributes to the decrease it, effect that is manifested in the Sn-Co-Nb varistor systems. Breakdown field increase up to 6300V/cm with increasing Al2O3 content and non-linear coefficients with α=22 were obtained.El óxido de estaño ha despertado gran interés científico y tecnológico por su potencial uso en la obtención varistores. Con el fin de mejorar las propiedades microestructurales y eléctricas que estos dispositivos presentan se viene estudiando el efecto de incorporar diferentes dopantes, entre ellos el TiO2 y la Al2O3. El efecto que estos óxidos tienen sobre el comportamiento de los varistores del sistema Sn-Co-Nb-Ti-Al, obtenidos a través del método de precursor polimérico (Pechini), fue investigado en este trabajo. La materia prima sintetizada se caracterizó utilizando Difracción de Rayos X (DRX) y Microscopía Electrónica de Barrido (MEB). Muestras sinterizadas se caracterizaron microestructural y eléctricamente encontrándose que el TiO2, aparentemente, favorece el crecimiento de grano y la Al2O3 contribuye a la disminución del mismo, efecto que se manifiesta en los varistores con base en Sn-Co-Nb. El campo de ruptura se incrementó hasta los 6300V/cm al aumentar el contenido de Al2O3 y se obtuvieron coeficientes de no-linealidad de 22.

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