ترانزستورات (JFET) المطبقة في تقنية الحواسيب

Abstract

يتطلب استثمارGaAs في دارات المنطق الرقمي تصميما ًخاصا ً، لأن فتح البوابات سريع جداً ,كما أن نسبة التأخير في الشريحة إلى تأخيرات الاتصال خارج الشريحة هي أكبر في السيليكون, حتى في الحواسب الفائقة. ونعلم أن الاتصال بين شريحة وأخرى هو عامل أكثر أهمية في زمن دورة الحاسب من تأخير البوابات على الشريحة وهذا يفترض وجود مستويات أعلى من الدارات التكاملية وبنية معالجات جديدة ضرورية قبل أن تعطي تقنية GaAs فوائد حقيقية في الحواسب العالية الأداء . تطورت حواسيب GaAs بإنتاج شريحة مفردة لمعالج GaAs وشريحة مفردة لمعالج الفاصلة العائمة ،وبوجود حقل وصل من مادة GaAsأثر إيجابيا ًعلى عملية تصنيع الترانزستورات. والهدف من هذا المقال تطوير واثبات تقنية الترانزستورات الحقلية المعززة JFET المصنوعة من أنصاف النواقل GaAs وبالإضافة إلى إنتاج معالج ميكروي لمعالجة نسبة معطيات كبيرة جداً في الزمن الحقيقي . Compassing GA-AS entirely in digital logic circuits requires special design because of the high speed opening of gates as well as the delay rate that spears inside the device to the out contact delays are more in silicon. We know that the contact between one device and another is more important in the count cycle than device gate delay, and that supposes high levels of integrated circuit and new necessary cpu architecture before GA-AS technique gives useful advantages in high performance computer. GA-AS computers improved by producing single processor device and a single floating point processor device. By contact field of GA-AS we will get a positive effect in transistor product. The object of this project is to optimize enhanced GA-AS field transistor technique and build a micro processor for processing big rate of data in real time.