Early fault detection in SiC-MOSFET with application in boost converter

Abstract

Este artículo presenta el diseño de un circuito de detección de fallas aplicado a Mosfet de carburo de silicio; la detección de falla es realizada a través del monitoreo de comportamiento de la señal de compuerta. Las más importantes características que se analizaron y se reportan son: rápida detección debido a que la evaluación se realiza en la conmutación a encendido, permitiendo la detección de fallas en corto circuito y circuito abierto; tiempos rápidos de detección lo que previene difusión de la falla al sistema completo. Para validar el circuito de detección fue diseñado un convertidor boost con SiC-Mosfet. Los resultados obtenidos validan la confiabilidad de la propuesta presentada.

Keywords

• semiconductor
• carburo de silicio
• detección de fallas