Влияния ультразвуковых волн на характеристики детектора излучения

Abstract

В работе приведены результаты исследования полевых зависимостей потерь заряда кремниевых диффузионных детекторов, которые позволяют идентифицировать одиночные атомы и их скопления, выступающие в роли центров захвата носителей заряда. В электрических полях Е > 1470 В/cм происходит эффективное уменьшение процессов захвата, что проявляется в виде спрямления полевых зависимостей потерь заряда и в сужении спектральных линий. Воздействия – ультразвуковое поле интенсивностью I* = 0,4 Вт/cм2 и частотой f = 15 MГц, на образцы в течение времени t £ 45 минут, приводит к росту амплитуды сигнала. Установлено, что ультразвуковое воздействие приводит к уменьшению потери заряда, времени дрейфа и улучшению энергетического разрешения детекторов. Также следует отметить, что флуктуации рельефа примеси в объеме Si-p-типа сглаживаются после прохождения через него ультразвуковых волн малой мощности в течение длительного времени, о чем свидетельствует значительное уменьшение эффективного размера локальных скоплений дефектов.

Keywords

• ультразвук
• полупроводниковый диффузионный детектор
• потеря заряда
• время дрейфа
• локальные скопления примесных атомов