بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل

Abstract

هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبیک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبی می‌باشند که در دمای600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کریستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک در هر دو نمونه افزایش یافتند. همچنین با افزایش فرکانس، ثابت دی‌الکتریک نمونه‌ها کاهش و تلفات دی الکتریک آن‌ها افزایش می‌یابد.

Keywords

• تیتانات بیسموت
• لایه نانوساختار
• فرایند سل- ژل
• ریزساختار
• خواص دی الکتریک
• مشخصه‌یابی