Dinámica de paquetes de ondas de huecos bajo acoplamiento espín-órbita tipo Rashba

Abstract

Se estudia la dinámica de un paquete de ondas gaussiano de huecos pesados, en presencia de interacción espín-órbita tipo Rashba, para un sistema semiconductor cuasi-unidimensional. Se utiliza un esquema en diferencias finitas, basado en la aproximación de Cayley, y se extiende a la solución de la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para huecos. Se muestra el fenómeno de la precesión del espín de los huecos, a través de una simulación numérica de la evolución temporal de las componentes del paquete. Es posible evaluar parámetros relevantes, e. g. dimensiones y tiempos de inversión de la polarización, en un dispositivo modelado como transistor de efecto campo de espín, que utilice en calidad de portadores a los huecos.

Keywords

• Espintrónica
• acoplamiento espín-órbita
• transporte espín polarizado en semiconductores
• transistor de efecto campo de espín