Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors

Abstract

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.

Keywords

• быстрая термообработка
• подзатворный диэлектрик
• р- и n-канальные транзисторы