پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای (Nov 2016)
اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر
Abstract
گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوارهای گرافینی آرمچیر یک‌لایه و دولایه بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهند که مقادیر گشتاورهای مغناطیسی به تعداد و آرایش تهی‌جای‌ها، فاصله آن‌ها از یکدیگر و از لبه‌های نانونوار بستگی دارد.
Keywords
