پژوهش سیستمهای بسذرهای (Nov 2016)
بررسی انتشار امواج تراهرتز در MoS2 در مرز بین دو دی الکتریک
Abstract
امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه MoS2 به عنوان نیمههادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه MoS2 در بازهی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمهبینهایت SiO2 و هوا است که تک لایه MoS2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطبش TE و در زاویه حد رخ میدهد. این میزان جذب کم، نشاندهندهی کاربردی بودن چنین لایهای در ساخت ابزار نوری بهویژه الکترود شفاف و دیگر قطعات الکترونیکی است.
Keywords