اپتوالکترونیک (Feb 2021)
تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بر ایجاد تبهگنی ترازهای انرژی در پاد نقطه کوانتومی
Abstract
در این مقاله تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی در پاد نقطه کوانتومی بررسی میشود. بدین منظور ابتدا بر اساس نظریه اختلال و در حضور میدان مغناطیسی خارجی، ویژه مقادیر انرژی این نانو ساختار به دست آورده میشود. سپس بر اساس پیشبینیهای تئوریو همچنین با محاسبات عددی نشان داده خواهد شد که میدان مغناطیسی همیشه باعث از بین رفتن تبهگنی ترازهای انرژی نمیشود و تحت شرایطی خاص، میدان مغناطیسی خود سبب بهوجود آمدن تبهگنی جدید در ترازهای انرژی میشود. در ادامه نشان خواهیم داد تغییرات انرژی بر حسب ارتفاع سد پتانسیل باعث حذف کامل تبهگنیهای ایجاد شده بعد از اعمال میدان مغناطیسی خواهد شد.
Keywords