ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

Abstract

ZnSe/Si Hetero eklem yapı, n-tipi silisyum (Si) alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe) ince filmin termal buharlaştırma tekniği kullanılarak kaplanmasıyla üretilmiştir. Üretilen filmin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri, x-ışınları kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve UV-vis spektrofotometre yardımıyla incelenmiştir. XRD ve SEM analizleri ZnSe ince filmin Si alttaş üzerini kaplayacak şekilde ve poli kristal yapıda olduğunu göstermektedir. ZnSe ince filmin yüzeyi üzerinde 5 farklı bölgede gerçekleştirilen EDX analizine göre yapının %51 Zn ve %49 Se elemental bileşim dağılımına sahip olduğu sonucuna varılmıştır. ZnSe ince film kalınlığı 200 nm olarak ölçüldü. Yasak enerji bant aralığı yaklaşıkça 2,86 eV olarak hesaplandı. Üretilen yapının elektriksel parametreleri hem standart yöntem hem de Cheung-Cheung yöntemiyle elde edildi. Bariyer yüksekliği 0,74 eV, idealite faktörü 1,26 ve seri direnç 5,1 kΩ olarak belirlendi. Ayrıca, hetero eklem yapının dalga boyuna bağlı foto tepki ölçümleri gerçekleştirildi.

Keywords

• znse
• heteroeklem
• si
• fotoelektrik özellikler
• termal buharlaşma