ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ФАЗОЗМІННИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ У ІНФРАЧЕРВОНОМУ ДІАПАЗОНІ

Abstract

Проблематика. У роботі досліджуються оптичні властивості халькогенідних сполук (GeTe)x(Sb2Te3)1-x, що є перспективними для використання як функціональні матеріали в енергонезалежних запам’ятовувальних пристроях і дисплеях. Зберігання інформації спирається на контраст фізичних властивостей між кристалічним і аморфним станами цих сполук, які в метастабільному кристалічному стані утворюють спотворену кубічну ґратку з високою концентрацією вакансій. Мета дослідження. Метою роботи є дослідження впливу структурного та термоіндукованого невпорядкування на внесок вільних носіїв заряду в діелектричну проникність фазозмінних халькогенідних сполук (GeTe)x(Sb2Te3)1-x та на оптичні властивості цих матеріалів в околі основного краю оптичного поглинання. Методика реалізації. Результати були отримані аналізом спектрів ІЧ-відбивання зразків фазозмінних халькогенідів (GeTe)x(Sb2Te3)1-x. Результати дослідження. Встановлено, що ширина локалізованих електронних станів, параметр Тауца та внесок плазмонів у діелектричну проникність досліджуваних зразків фазозмінних халькогенідів (GeTe)x(Sb2Te3)1-x залежать від концентрації вакансій та їх упорядкування. Отримані дані підтверджують, що зміна структурного невпорядкування в (GeTe)x(Sb2Te3)1-x призводить до зміни типу електропровідності в досліджуваних зразках. Висновки. Ширина енергетичного розподілу локалізованих електронних станів та параметр Тауца залежать від концентрації вакансій та їх впорядкування. Зменшення концентрації вакансій призводить до зростання внеску вільних носіїв заряду в діелектричну функцію (GeTe)x(Sb2Te3)1-x, їхнє впорядкування спричиняє більші зміни у значеннях частоти плазмонів та їхнього коефіцієнту затухання. Отримані результати надають інформацію щодо шляхів зміни властивостей (GeTe)x(Sb2Te3)1-x.

Keywords

• Халькогеніди
• Оптична спектроскопія
• Діелектрична проникність
• Невпорядкування
• Кристалічна ґратка