ساختار نواری و ضرایب جذب و بازتاب امواج الکترومغناطیسی با فرود مایل بر یک بلور نوری پلاسمایی برخوردی کوک‌پذیر توسط میدان مغناطیسی خارجی

Abstract

در کار حاضر، رفتار یک بلور نوری پلاسمایی یک‌بعدی در مواجهه با امواج الکترومغناطیسی مورد بررسی قرار می­گیرد. این بلور نوری شامل تناوبی از لایه­های دی­الکتریک و پلاسماست که در معرض یک میدان مغناطیسی ثابت خارجی می­باشد. میدان مغناطیسی در جهت تناوب لایه­ها قرار گرفته و فرود موج به بلور نوری به‌صورت مایل و تحت زاویه خواهد بود. موج فرودی با قطبش خطی در عبور از لایه پلاسمای مغناطیده به دو دسته‌ی قطبش دایروی راست‌گرد و چپ‌گرد تفکیک می­گردد که این ناشی از تفاوت سرعت امواج راست‌گرد و چپ‌گرد در راستای میدان مغناطیسی می­باشد. ما پلاسما را در تقریب سرد ضعیف یونیزه در نظر می­گیریم و اثر برخورد الکترون­ها و ذرات خنثی در پلاسما به‌عنوان یک اثر اتلافی که باعث جذب بخشی از انرژی موج می­شود، در محاسبات وارد می­گردد. ­ اثر شدت میدان مغناطیسی اِعمالی، فرکانس برخورد، ضریب گذردهی دی­الکتریک و زاویه فرود موج تابشی بر ساختار نوار فوتونی و ضرایب بازتاب و جذب بررسی می­شود.

Keywords

• بلور نوری پلاسمایی
• پلاسمای مغناطیده
• فرکانس برخورد
• ساختار نوار فوتونی
• چرخش فارادی
• ضریب بازتاب
• ضریب جذب