Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (Aug 2000)
Determinación de parámetros cinéticos por la técnica calorimétrica de barrido único. Aplicación a la cristalización no isoterma de la aleación Sb<sub>0.12</sub>As<sub>0.40</sub>Se<sub>0.48</sub>
Abstract
A procedure has been developed for analyzing the evolution with time of the crystallized fraction and for calculating the kinetic parameters at non-isothermal reactions involving formation and growth of nuclei. Considering the assumptions of extended volume and random nucleation, a general expression of the transformed fraction as a function of time has been obtained in isothermal crystallization processes. The crystallization rate deduced has been applied to the non-isothermal processes under the restriction of a nucleation which takes place early in the transformation and the nucleation frequency is zero thereafter. In these conditions, the kinetic parameters have been deduced by using the technique of single-scan. The theoretical method developed has been applied to the crystallization kinetics of the semiconducting Sb0.12As0.40Se0.48 alloy. The kinetic parameters obtained differ by only about 6% of those calculated by multiple-scan techniques, which confirms the reliability and accuracy of the single-scan technique when calculating the mentioned parameters in non-isothermal processes.Se ha desarrollado un procedimiento para analizar la evolución temporal de la fracción cristalizada y calcular los parámetros cinéticos de reacciones no isotermas que implican la formación y crecimiento de núcleos. Considerando las hipótesis de volumen extendido y nucleación al azar, se ha obtenido una expresión general de la fracción transformada como función del tiempo en procesos de cristalización isotermos. La velocidad de cristalización deducida se ha aplicado a procesos no isotermos bajo la restricción de nucleación al principio de la transformación y que se anula posteriormente. En estas condiciones, se han deducido los parámetros cinéticos usando la técnica de barrido único. El método teórico desarrollado se ha aplicado a la cristalización de la aleación semiconductora Sb0.12As0.40Se0.48. Los parámetros cinéticos obtenidos difieren alrededor del 6% de los calculados por técnicas de barrido múltiple, lo que confirma la fiabilidad y exactitud de la técnica de barrido único cuando se calculan los mencionados parámetros en procesos no isotermos.
