Измерение параметров p-i-n диодов в волноводно-щелевой линии на частотах миллиметрового диапазона длин волн
Abstract
В работе предложена методика, позволяющая с достаточной точностью измерить параметры p-i-n диодов в открытом и закрытом состояниях. Метод не требует установки референсной плоскости и позволяет провести измерения непосредственно в электродинамической системе проектируемой гибридно-интегральной схемы (ГИС). Предложенная методика применима также для детекторных и смесительных диодов и даёт возможность с приемлемой точностью и быстро найти характеристики, адекватные условия их работы в составе разрабатываемых устройств.
Keywords
