Gate-tunable hysteresis response of field effect transistor based on sulfurized Mo
S. Mathew,
J. Reiprich,
S. Narasimha,
S. Abedin,
V. Kurtash,
S. Thiele,
T. Scheler,
B. Hähnlein,
P. Schaaf,
H. O. Jacobs,
J. Pezoldt
Affiliations
S. Mathew
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
J. Reiprich
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
S. Narasimha
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
S. Abedin
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
V. Kurtash
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
S. Thiele
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
T. Scheler
FG-Werkstoffe der Elektrotechnik, Institut für Werkstofftechnik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, TU Ilmenau, Gustav-Kirchhoff-Straße 5, 98693 Ilmenau, Germany
B. Hähnlein
FG Technische Physik I, Institut für Physik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Technische Universität Ilmenau, 98684 Ilmenau, Germany
P. Schaaf
FG-Werkstoffe der Elektrotechnik, Institut für Werkstofftechnik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, TU Ilmenau, Gustav-Kirchhoff-Straße 5, 98693 Ilmenau, Germany
H. O. Jacobs
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
J. Pezoldt
FG-Nanotechnologie, Institut für Mikro-und Nanoelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®, Institut für Werkstofftechnik, TU Ilmenau, Postfach, 100565, 98684 Ilmenau, Germany
Hysteresis effects and their tuning with electric fields and light were studied in thin film molybdenum disulfide transistors fabricated from sulfurized molybdenum films. The influence of the back-gate voltage bias, voltage sweep range, illumination, and AlOx encapsulation on the hysteresis effect of the back-gated field effect transistors was studied and quantified. This study revealed the distinctive contribution of MoS2 surface, MoS2/SiO2 interface defects and their associated traps as primary sources of of hysteresis.
