1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

Abstract

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器（DC-PBH LD）。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线性输出10mW,70℃连续工作,光功率输出大于1.3mW,外微分量子效率50％,比接触电阻3.6-4.8×10-5Ωcm2,光谱为极好的单纵模,远场辐射θ2～15°,θ1～15°-30°,耦合效率高达90％。