اپتوالکترونیک (Feb 2017)
شبیهسازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایهها
Abstract
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پسزمینه به روش مونت کارلو شبیهسازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پسزمینه و در فشار 50 میلی تور شبیهسازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیهسازیها مورد استفاده قرار گرفتهاند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یونهای پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یونهای کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمعآوری شدهاند. توزیع ضخامتی لایهها با استفاده از اطلاعات یونهای عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشاندهندۀ احتمال شکلگیری حفره در مرکز لایههای درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیهسازی بیانگر نقش مؤثر یونهای کندوپاش شده از سطح لایه در شکلگیری این نوع حفرهها است.