ОЦЕНКА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПОЛНЕННЫХ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ УГЛЕРОДОМ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С ПОМО-ЩЬЮ МЕТОДА ЛОКАЛЬНЫХ БИНАРНЫХ ШАБЛОНОВ

Abstract

Резистивные полимерные композиционные материалы применяются в электроэнергетике, электрофизике и т.д. Неоднородная структура таких материалов, определяющая их свой-ства, затрудняет прогнозирование характеристик. Поэтому актуален поиск новых подходов к оценке свойств резистивных полимерных композиционных материалов Рассматриваются резистивные полимерные композиционные материалы на основе каучу-ков с модификацией поверхности технического углерода, в которые свойства во многом фор-мируются за счет регулирования степени агломерирования технического углерода и межфаз-ных взаимодействий между электропроводящим и связующим компонентами. Предложена оценка действия этих эффектов на структуру материалов по гистограммам текстур изоб-ражения макроструктуры с использованием метода локальных бинарных шаблонов. Применя-лись одноканальная и трехканальная (модель RGB) гистограммы. Для сравнения гистограмм структур рассчитывались расстояния Бхаттачария и Кульбака–Лейблера. Показана коррект-ность их применения к изображениям структур, наполненных техническим углеродом каучуков для оценки величины объемного электрического сопротивления и его изменения при эксплуата-ционных воздействиях (температура, агрессивная среда, сжимающая нагрузка). Сделан вывод о том, что использование в расчетах расстояния Кульбака–Лейблера при сравнении изображе-ний структур лучше отражает динамику электрофизических характеристик материалов при рассмотренных эксплуатационных воздействиях, чем сравнение гистограмм по расстоянию Бхаттачария

Keywords

• изображение макроструктуры, полимерные композиционные материалы, наполненные техни-ческим углеродом каучуки, модифицированный технический углерод, текстурный анализ, объ-емное электрическое сопротивление, метод локальных линейных шаблонов, гистограммы яр-кости, расстояние бхаттачария, расстояние кульбака–лейблера.