Publisher’s Note: “Aluminum acceptor activation and charge compensation in implanted p-type 4H-SiC” [AIP Advances 9, 055308 (2019)]

• J. Weiße,
• M. Hauck,
• M. Krieger,
• A. J. Bauer,
• T. Erlbacher

Affiliations

J. Weiße

Chair of Electron Devices, Friedrich-Alexander University Erlangen-Nürnberg (FAU), Cauerstrasse 6, 91058 Erlangen, Germany

M. Hauck

Lehrstuhl für Angewandte Physik, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Staudtstrasse 7, 91058 Erlangen, Germany

M. Krieger

Lehrstuhl für Angewandte Physik, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Staudtstrasse 7, 91058 Erlangen, Germany

A. J. Bauer

Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology, Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany

T. Erlbacher

Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology, Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany