半导体光放大器端面镀膜的实验与研究

Abstract

在中心波长为1310nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率<10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹<0.5dB的半导体光放大器.

Keywords

• 半导体光放大器;减反膜镀制;剩余反射率