Formalismo de cálculo de la movilidad de portadores en un pozo cuántico delta dopado (DQW).

Abstract

Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n , considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs . Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden – en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema – , lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución.