Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering (Aug 2017)
TERMİYONİK VAKUM ARK İLE ÜRETİLEN InGaAsN İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ
Abstract
Bu çalışmada InGaAsN ince filmler ilk defa farklı bir teknik olan Termiyonik Vakum Ark (TVA) tekniği ile üretilmiştir. InGaAsN ince filmler üretilirken TVA üretim parametreleri belirlenmiştir. İnce filmler üç farklı alt taş üzerine gerçekleştirilmiştir. Bunlar cam, Si ve Polietilen tereftalat (PET) alt taş malzemedir. Üretilen ince filmlerin XRD analizleri ile kristal yapıları aydınlatılmaya çalışılmıştır. Yüzey bileşenleri için EDX analizi kullanılmıştır. Filmlerin yüzey oluşumları atomik kuvvet mikroskobu ile görüntülendi. UV-Vis spektrofotometresi ile elde edilen soğurma değerlerinden ise yapıların yasak enerji aralıkları değerleri incelenmiştir. Sonuçlara göre, farklı alt taşlar üzerine farklı atomik bileşimler elde edilmiştir.
Keywords