پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای (Dec 2021)
بررسی خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولوله‌های III-V با استفاده از تئوری تابعی چگالی
Abstract
در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولوله‌های زیگزاگ (0و 5) بورون نیتراید (BN)، گالیم آرسناید (GaAs)، گالیم نیتراید (GaN)، گالیم فسفاید (GaP)، ایندیوم نیتراید (InN) و ایندیوم فسفاید (InP) با استفاده از تئوری تابعی چگالی (DFT) ترکیب شده با فرمالیزم تابع گرین غیر تعادلی (NEGF) توسط نرم افزار SIESTA مورد مطالعه قرارگرفته شده است. ساختار باندی الکترونی، چگالی حالات (DOS)، گاف انرژی، مشخصه جریان ولتاژ (I-V) و منحنی ترابرد (dI/dV) این ساختارها تحت شرایط بایاس پائین مورد بررسی قرار گرفت، نتایج بدست آمده ماهیت نیمه‌هادی این ساختارها را تأیید می-نماید. در بین این ساختارها، نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم فسفاید (GaP) باند گاف انرژی غیر مستقیم را نشان داده است که این ساختار را مناسب برای بکارگیری در نمایشگرهای رنگی می‌سازد در عوض نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم آرسناید (GaAs) علاوه بر باند گاف انرژی کوچکتر و چگالی حالات بیشتر مشخصه مقاومت دیفرانسیلی منفی(NDR) از خود نشان داد بگونه‌ای که می‌تواند کاندیدای مناسبی برای بکارگیری در قطعات اپتوالکترونیکی سرعت بالا، سوئیچ کننده‌های سرعت بالا و نوسانگرهای سرعت بالا باشد.
Keywords
