Monte Carlo simulation of epitaxial growth of GaInAsSb films

Abstract

El estudio de la fabricación de películas semiconductoras por l a técnica de Epitaxia en Fase Líquida a través de métodos de si mulación es un importante soporte en la ingeniería de estos materiales pues permite determinar la influencia de condiciones de crecimiento sobre las propiedades de las películas epitaxiales, variando a voluntad c iertos parámetros que experimentalmente conllevan exigentes con diciones de crecimiento y altos costos. En este trabajo se presenta la s imulación mediante tres diferentes métodos, del crecimiento epi taxial del material GaInAsSb con interesantes aplicaciones en dispositivos de generación de energía termofotovoltaica. Se utilizó la apro ximación de sólido sobre sólido suponiendo que la celda unitaria contiene l os cuatro elementos precursores en proporciones correspondiente s a la estequiometría seleccionada. Se determina que el método de Mont e Carlo cinético arroja los mejores resultados, mostrando una b uena coincidencia entre la morfología de las películas simuladas con la de películas fabricadas por esta técnica experimental.