Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska (May 2018)
ANALIZA PRZECIWRÓWNOLEGŁEGO OBWODU MEMRYSTOROWEGO
Abstract
Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
Keywords