اپتوالکترونیک (Feb 2017)

بررسی اثر نوع هالوژن بر تغییرگاف انرژی در ساختارهای پروسکایتی

  • فرهاد ستاری,
  • صغری میرارشادی,
  • امیر مسعود شکری,
  • محمود محمدی ساری درق

Journal volume & issue
Vol. 1, no. 3
pp. 51 – 58

Abstract

Read online

با توجه به اهمیت به کارگیری ساختارهای پروسکایتی در نسل جدید سلول‌های خورشیدی، مطالعه بر روی خواص الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها ضروری به نظر می‌رسد؛ بنابراین در این مقاله ابتدا ساختار پروسکایتی آلی - معدنی CH3NH3PbX3 با هالوژن‌های مختلف Cl و Br ،I X= سنتز شده، سپس تأثیر نوع هالوژن در ساختار مذکور بر روی خواص الکترونیکی آنها به طور تجربی مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با تغییر نوع هالوژن، به راحتی گاف انرژی این ساختارها را می‌توان کنترل کرد. از این رو امید می‌رود که بتوان از این ساختارها در ادوات الکترونیکی و اپتیکی بهره برد.

Keywords