Влияние одноосного давления на структурные и электронные свойства двумерных материалов на примере MoTe2 и Sb2Te3

Abstract

Это исследование сосредоточено на моделировании методами DFT воздействия одноосного давления на электронные и структурные характеристики двумерных материалов, таких как MoTe2 и Sb2Te3. Особое внимание уделяется реконфигурации щели ван-дер-Ваальса (вдВ). Интуитивно, при приложении одноосного давления ожидается уменьшение расстояния между слоями и, как следствие, переход 2D–3D. Моделирование Sb2Te3 под одноосным давлением выявило металлизацию при 3 ГПа. Дополнительное увеличение давления вызывает изменение симметрии и фазовый переход при 7 ГПа, что приводит к исчезновению щели вдВ в новой фазе. Тем не менее переход к объемной фазе не всегда происходит. В случае MoTe2 под воздействием давления происходит изоструктурный переход в металлическое состояние при 10 ГПа. Дальнейшее увеличение давления при 37 ГПа вызывает фазовый переход с реконфигурацией щели вдВ. Важно отметить, что данный случай MoTe2 аналогичен ситуации с GaSe после релаксации, что также является предметом данного исследования.

Keywords

• 2D полупроводники
• ван-дер-Ваальсово взаимодействие
• DFT
• одноосное давление
• MoTe2
• Sb2Te3