اپتوالکترونیک (Nov 2023)
شبکه مغناطیسی دائمی سه لایه ای برای اتم های فراسرد
Abstract
ما یک شبکه مغناطیسی دائمی سه لایهای را برای اتمهای فراسرد معرفی میکنیم که توسط دو آرایه دو بعدی از برههای مربعی مغناطیسی به همراه یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی ایجاد میشود. سه آرایه دو بعدی مجزا از میکروتلههای مغناطیسی، در بالای لایهی بالایی برههای مغناطیسی، زیر لایهی پایینی و بین آنها تولید میشود. ما عباراتی تحلیلی برای تعیین مکان کمینههای میدان مغناطیسی غیر صفر و همینطور برای مشخص کردن مقادیر فیزیکی دیگری، مانند اندازه میدان مغناطیسی (B)، خمیدگیها و بسامدهای تله در هر کمینه ارائه میکنیم. عبارتهای تحلیلی برای B با نتایج عددی هم-خوانی خوبی دارند. بنابراین، تمام عبارتهای تحلیلی به دستآمده از آنها قابل اعتماد هستند. برخی از کمیتهای فیزیکی مرتبط را میتوان با استفاده از میدان مغناطیسی یکنواخت کنترل کرد. همچنین، بسامدهای تله بین لایههای مغناطیسی در یک شبکه سه لایهای، در مقایسه با بسامدهای ایجاد شده توسط یک لایه از آهنرباها در یک شبکه دو لایهای بالاتر هستند. بنابراین، از دست دادن اتمها کاهش مییابد و محدودسازی بهتری برای آنها فراهم میشود.
Keywords