ساختار باندی گرافن بورن نیترید در چارچوب مدل تنگ بست واقعی

Abstract

در این مقاله با استفاده از یک مدل تنگ بست واقع گرایانه و دقیق، ساختار الکترونیکی تک لایة گرافن رشد یافته بر بستر یک زیر لایة بورن نیترید، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور با انجام محاسبات مبتنی بر نظریة تابعی چگالی، امکان رشد گرافن بر زیر لایة بورن نیترید در یک شبکة منطبق بر هم، مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار الکترونیکی این شبکه از برازش پارامترهای تنگ بست تا همسایة پنجم، با داده‌های تابعی چگالی محاسبه شده است. در این شبکه ساختار الکترونیکی گرافن تا حدود زیادی حفظ شده است. نتایج نشان می‌دهد، اثرات بین لایه‌ای نسبتاً ضعیف است. یک گاف کوچک حدود 2/0 الکترون ولت در اثر معادل نبودن جایگاه‌های کربنی در ساختار گرافنی ایجاد شده است که می‌توان با اعمال یک ولتاژ گیت از آن برای ایجاد ترانزیستورهای اثر میدان استفاده کرد.

Keywords

• مدل تنگ بست واقعی
• گرافین دو لایه
• بورون نیترید