Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD

Abstract

Pendeposisian sejumlah film tipis Co:TiO2 telah selesai dilakukan. Film dideposisikan pada substrat Si(100) tipe-n menggunakan teknik MOCVD. Konsentrasi doping Co bervariasi dari 0,1 % sampai dengan 1,1 %. Penelitian ini difokuskan pada efek doping Co pada konstanta kisi film tipis polikristal TiO2. Hasil penelitian menunjukkan bahwa pemberian doping Co pada film TiO2 menyebabkan penyusutan konstanta kisi film tersebut.

Keywords

• thin film, co:tio2, lattice’s constant, mocvd