Создание гетероструктуры a-Ga2O3:Sn/a-Cr2O3/a-Al2O3 методами газофазной эпитаксии

Abstract

Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для создания высококачественных p-n-гетеропереходов с корундоподобным оксидом галлия (a-Ga2O3). При изготовлении гетероструктуры использовались два метода выращивания из газовой фазы (CVD). Слой a-Cr2O3 толщиной ~ 0.2 мкм был выращен на сапфировой подложке (0001) с использованием метода ультразвукового осаждения мелкодисперсного аэрозоля (mist-CVD) при температуре 800 °C. Обнаружено, что полученный слой обладает высокой морфологической однородностью и низкой шероховатостью, что приемлемо для дальнейших эпитаксиальных процессов. В дальнейшем слой a-Ga2O3, легированный Sn, толщиной ~ 1.5 мкм был выращен на слое a-Cr2O3 с использованием метода гидридной парофазной эпитаксии (HVPE) при 500 °C. Показана возможность изготовления данной гетероструктуры с заданной толщиной слоя и приемлемой морфологией поверхности методами CVD

Keywords

• оксид галлия
• оксид хрома
• сапфировая подложка
• гетероэпитаксия
• газофазная эпитаксия
• метод ультразвукового осаждения мелкодисперсного аэрозоля
• метод гидридной парофазной эпитаксии