Nature Communications (Feb 2016)
Nonmagnetic band gap at the Dirac point of the magnetic topological insulator (Bi1−xMnx)2Se3
- J. Sánchez-Barriga,
- A. Varykhalov,
- G. Springholz,
- H. Steiner,
- R. Kirchschlager,
- G. Bauer,
- O. Caha,
- E. Schierle,
- E. Weschke,
- A. A. Ünal,
- S. Valencia,
- M. Dunst,
- J. Braun,
- H. Ebert,
- J. Minár,
- E. Golias,
- L. V. Yashina,
- A. Ney,
- V. Holý,
- O. Rader
Affiliations
- J. Sánchez-Barriga
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- A. Varykhalov
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- G. Springholz
- Institut für Halbleiter und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität
- H. Steiner
- Institut für Halbleiter und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität
- R. Kirchschlager
- Institut für Halbleiter und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität
- G. Bauer
- Institut für Halbleiter und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität
- O. Caha
- Department of Condensed Matter Physics, CEITEC, Masaryk University
- E. Schierle
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- E. Weschke
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- A. A. Ünal
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- S. Valencia
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- M. Dunst
- Department Chemie, Ludwig-Maximilians-Universität München
- J. Braun
- Department Chemie, Ludwig-Maximilians-Universität München
- H. Ebert
- Department Chemie, Ludwig-Maximilians-Universität München
- J. Minár
- Department Chemie, Ludwig-Maximilians-Universität München
- E. Golias
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- L. V. Yashina
- Department of Chemistry, Moscow State University
- A. Ney
- Institut für Halbleiter und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität
- V. Holý
- Department of Condensed Matter Physics, Charles University
- O. Rader
- Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II
- DOI
- https://doi.org/10.1038/ncomms10559
- Journal volume & issue
-
Vol. 7,
no. 1
pp. 1 – 10
Abstract
Doping a topological insulator with magnetic impurities is expected to induce ferromagnetism and open a band gap in its surface states. Here, the authors study Mn-doped Bi2Se3, finding a mechanism for band gap opening in topologically-protected surface states which is not of magnetic origin.
