Guangtongxin yanjiu (Jan 1995)

用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究

  • 刘涛,
  • 李同宁,
  • 金锦炎,
  • 李云樵,
  • 刘自力,
  • 王任凡,
  • 沈坤

Abstract

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我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs（P）/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。目前,我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数,利用这些参数生长了1.31μm体材料激光器和量子阱激光器结构,阈值电流密度Jth分别为1、1 kA/cm2和1.0 kA/cm2。

Keywords