Capas de a-SiN:H modificadas mediante la irradiación con un láser de excímero

Abstract

Utilizando una mezcla de silano/amoníaco o disilano/amoníaco se obtuvieron capas de nitruro de silicio amorfo hidrogenado (a-SiN:H) mediante depósito químico en fase vapor asistido por láser CO2 y ArF, ambos en configuración paralela. Estas capas se sometieron a irradiación con un láser excímero de ArF en atmósfera inerte. Las variaciones, tanto en su composición química como en su índice de refracción y morfología superficial se estudiaron sistemáticamente mediante espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia dispersiva de rayos X (EDS), elipsometría y microscopía de fuerzas atómicas (AFM), respectivamente. Las modificaciones observadas involucran por una parte una gran reducción, con los primeros pulsos de irradiación, del hidrógeno enlazado (Sili y N-H), acompañado por una progresiva incorporación de oxígeno (Si-O y Si-OH) y una reducción de los enlaces Si-N. Este comportamiento se atribuye a la fotoquímica inducida por la radiación ultravioleta, donde el agua incorporada en las capas, entre sucesivas irradiaciones, desempeña un papel muy importante. La comparación entre las diferentes capas indica que la cantidad de hidrógeno enlazado en las capas y su morfología superficial influyen en la resistencia de las mismas a la oxidación.

Keywords

• lcvd
• capa delgada
• nitruro de silicio
• irradiación
• láser arf