Guangtongxin yanjiu (Jan 1999)
高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
Abstract
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，实现了1．31μmAlGaInAs／InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时，管芯最大输出功率超过50mW，阈值电流范围在13～20mA之间，发光面斜效率高于0．45mW／mA，边模抑制比超过35dB，室温中值寿命大于3×105小时。
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Guangtongxin yanjiu (Jan 1999)
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，实现了1．31μmAlGaInAs／InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时，管芯最大输出功率超过50mW，阈值电流范围在13～20mA之间，发光面斜效率高于0．45mW／mA，边模抑制比超过35dB，室温中值寿命大于3×105小时。